STD9NM40N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD9NM40N技术参数详情：

当您设计的电源系统需要在高电压下稳定运行，同时还要兼顾效率和空间时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STD9NM40N，这颗源自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，正是为破解您的效率与可靠性难题而生。它不仅仅是一个400V/5.6A的开关，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，STD9NM40N正以其卓越的性能默默工作。其MDmesh II技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动下仅790毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是面对工业电机驱动中的频繁开关，还是家用电器待机时对功耗的严苛要求，它都能游刃有余，确保系统在高达150°C的结温下依然稳定可靠，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STD9NM40N，就是选择了一份经市场验证的安心。其紧凑的DPAK表面贴装封装，为您的PCB布局节省了宝贵空间，简化了生产流程。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其成熟度和在大量现有成功应用中的卓越表现。对于产品升级、维护或特定领域的持续生产，它依然是高性价比和可靠性的不二之选。当您需要获取这颗经典器件或技术咨询时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到供应的全方位支持。让STD9NM40N成为您动力核心中那颗高效、冷静的“心脏”，驱动您的创意，赢得未来。

型号:STD9NM40N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:不适用于新设计
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能轻松驾驭400V高压，同时保持高效开关和出色热性能的功率MOSFET吗？STD9NM40N正是为您而来。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，让您能够以更低的导通损耗（仅790mΩ）和优异的开关特性，构建更高效、更紧凑的电源转换系统。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对开关电源、电机驱动和照明控制等应用中的高压开关任务。其高达5.6A的连续电流能力和60W的功率耗散，确保了强大的驱动性能和可靠性。极低的栅极电荷（14nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而全面提升系统效率。选择STD9NM40N，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的动力核心。