STD9NM50N-1

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否还在为高压开关器件的选择而犹豫？今天，我们为您带来一款历经市场验证的经典功率解决方案STD9NM50N-1。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其500V的耐压能力和5A的连续电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键基石。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心电路中，STD9NM50N-1正发挥着它的卓越性能。其采用的先进MDmesh技术，意味着更低的导通电阻（典型值仅560毫欧）和更优的开关特性，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。在紧凑的空间内，它帮助您的设备以更“冷静”的姿态运行，有效延长了产品寿命，并让散热设计变得更加轻松。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是消费电子对效率的极致追求，它都能游刃有余。

选择这颗芯片的理由清晰而有力。它代表了ST在高压功率器件领域的深厚积淀，即使处于停产状态，其卓越的性能和广泛的适用性依然使其成为许多经典和延续性设计的首选。高达70W的功率处理能力和150°C的结温，赋予了设计者充足的安全裕度和可靠性信心。通孔IPAK封装坚固可靠，便于焊接和散热管理。当您需要为高压侧开关寻找一个值得信赖的伙伴时，STD9NM50N-1无疑是经过时间淬炼的智慧之选。如需获取此经典器件的库存或技术支援，我们的ST代理团队随时准备为您提供专业服务。

总而言之，STD9NM50N-1的价值在于它用扎实的参数和久经考验的可靠性，为您的高压功率应用构建了一个高效、坚固的基础。它让复杂的设计变得简单，让性能的追求落到实处。拥抱这份经典的力量，让您的产品在效能与稳定性的道路上，迈出更自信的一步。

• 型号:STD9NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD9NM50N-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭500V高压、高效完成开关任务的功率芯片吗？STD9NM50N-1正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有5A的强劲电流输送能力，凭借其MDmesh技术，它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对开关电源(SMPS)、照明镇流器、电机控制等应用中的高压开关挑战。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，从而提升整体系统频率和动态响应。高达70W的功率耗散能力和150°C的工作结温，为您提供了充裕的设计余量和可靠性保障，让您的产品在性能与耐用性上双双赢得优势。