STE140NF20D - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STE140NF20D技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？当200V高压应用需要承载140A大电流时，传统的MOSFET往往力不从心，导致系统效率低下、温升过高。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出意法半导体的高性能功率器件STE140NF20D，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统竞争力的关键引擎。

这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的12毫欧。这意味着在相同的电流下，它的导通损耗将大幅降低，更多的电能被高效转换而非浪费为热量。高达500W的功率耗散能力，配合其独特的ISOTOP封装，确保了卓越的散热性能，让您的设备即使在-55°C到150°C的严苛温度范围内也能稳定运行，可靠性无懈可击。想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源或不断电系统(UPS)的核心电路中，STE140NF20D如同一位不知疲倦的超级跑者，以极低的“内阻”高速切换，将能量损耗降至最低，直接转化为更长的运行时间、更小的散热器体积和更低的系统总成本。

选择STE140NF20D，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它源自全球半导体领袖意法半导体，其STripFET II系列早已成为高效能功率设计的代名词。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能指标，使其在诸多存量升级或特定高可靠性设计中依然是无可替代的优选。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行采购。这不仅保障了元器件的真实性与品质，更能为您后续的设计与生产提供坚实的后盾。让STE140NF20D的强大动力，注入您的下一个创新产品，共同开启高效、可靠的电能新时代。

型号:STE140NF20D
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:ISOTOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:500W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:ISOTOP
封装/外壳:ISOTOP
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您正在设计需要处理大电流、高电压的功率系统吗？面对140A的持续电流和200V的电压等级，普通的开关器件可能已成为系统性能的瓶颈。STE140NF20D正是为您突破这一瓶颈而生。这颗N沟道MOSFET拥有极低的12毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，同时有效控制温升。

基于意法半导体成熟的STripFET II技术，它采用优化的ISOTOP封装，散热能力出众，功率耗散高达500W。这意味着您可以在更紧凑的空间内实现更大的功率输出，轻松应对-55°C至150°C的宽温工作挑战。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高密度电源，STE140NF20D都能为您提供坚实、高效的核心动力，让设计更简单，让性能更卓越。