STE30NK90Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STE30NK90Z技术参数详情：

当您需要一款能够承受极端电压波动、在严苛环境下依然稳定可靠的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在ST意法半导体引以为傲的SuperMESH技术之中。今天，我们向您隆重介绍这款集高性能与高可靠性于一身的功率器件STE30NK90Z。它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建坚固、高效电力系统的基石，其高达900V的漏源电压和28A的连续漏极电流能力，意味着它天生就是为挑战高压、大电流应用而设计的。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心电路中，电压尖峰和热应力是常态。STE30NK90Z凭借其卓越的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅260毫欧），这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。其独特的ISOTOP封装不仅提供了卓越的散热性能，确保在高达150°C的结温下稳定工作，还通过底座安装方式简化了您的散热设计。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更高效，寿命也更长久。当您需要可靠的货源和技术支持时，专业的ST代理商将是您值得信赖的合作伙伴。

为何众多工程师在面临高压开关方案选型时，会倾向于选择STE30NK90Z？因为它提供了关键的性能平衡。在追求高耐压的同时，它并未牺牲开关速度与效率，优化的栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提升整体能效。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围，让它能从容应对从寒冷户外到高温机箱内的各种环境。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、经过市场验证的可靠性以及可能存在的库存或替代方案咨询价值，使其依然是许多现有设计升级或维护时的重点考量对象。选择它，就是选择了一份由ST领先工艺背书的性能保障。

型号:STE30NK90Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:ISOTOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:490 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:500W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:ISOTOP
封装/外壳:ISOTOP
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还在为高压电源转换中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STE30NK90Z来为您分忧！这颗来自ST SuperMESH家族的N沟道MOSFET，是专为应对严苛应用而生的功率开关利器。

它拥有高达900V的击穿电压和28A的连续电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动或光伏逆变器时底气十足。其核心价值在于，通过先进的芯片技术，在高压下依然实现了极低的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，优异的开关特性帮助您优化驱动设计，而坚固的ISOTOP封装确保了出色的热性能，让您的设备运行更稳定、更可靠。