STE60N105DK5

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否仍在为高电压、大电流应用中的开关损耗和散热难题而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh DK5系列中的明星产品STE60N105DK5。这颗1050V超结MOSFET，以其革命性的低导通电阻和卓越的开关性能，正重新定义高功率应用的效率标准，让您的设计不仅强大，更显智慧。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，能量需要被高效、精准且稳定地控制。STE60N105DK5正是为此而生。其高达46A的连续漏极电流和1050V的漏源击穿电压，为应对严苛的工业环境提供了坚实的保障。独特的ISOTOP封装技术，将出色的散热性能与电气隔离完美结合，确保器件在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，功率耗散高达680W，让您的系统即使在满载运行时也能保持“冷静”，大幅提升整体可靠性与寿命。

选择STE60N105DK5，意味着您选择了经过市场验证的顶尖技术与性能。其核心优势在于MDmesh DK5技术带来的极低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下仅120毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）与电容特性，显著减少了开关损耗，让高频开关应用变得游刃有余。这不仅降低了能源浪费，也简化了热管理设计，帮助您节省空间与成本。为确保您能获得原装正品与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方ST授权代理进行采购。立即采用STE60N105DK5，让它成为您下一代高可靠性电源和驱动方案的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 制造商产品型号：STE60N105DK5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 1050V 46A ISOTOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DK5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：1050V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 23A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：204nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6675pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：680W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：底座安装
• 器件封装：ISOTOP
• 现在可以订购STE60N105DK5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找能同时驾驭高电压与大电流的功率开关解决方案吗？STE60N105DK5 N沟道MOSFET就是您期待的答案。它基于ST先进的MDmesh DK5超结技术打造，拥有1050V的高耐压和46A的强大电流处理能力，让您在设计工业电源、新能源逆变器或高端电机驱动时，底气十足，轻松应对各种严苛挑战。

这颗芯片的核心使命，就是让您的系统运行更高效、更凉爽。其导通电阻（Rds(on)）低至120毫欧，能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，优化的动态参数有助于减少开关损耗，让高频操作更加顺畅。结合卓越的ISOTOP封装散热能力，它帮助您简化热设计，提升功率密度，最终打造出更紧凑、更可靠的终端产品。