STF10N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案时，工程师们是否常常面临开关损耗与导通电阻难以两全的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STF10N60M2。这款来自意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的600V耐压和仅为600毫欧的超低导通电阻，重新定义了中功率应用的性能标杆。它不仅意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，更代表着您的产品在激烈的市场竞争中，拥有了更可靠、更节能的核心动力。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STF10N60M2正稳定高效地工作着。它那高达7.5A的连续漏极电流承载能力和优化的动态特性，让系统在应对负载突变时更加从容不迫。无论是工业照明驱动、家用电器电源，还是不断电系统（UPS）中的关键开关，这颗芯片都能确保能量以最小的损耗进行转换与控制，将每一瓦电力都用在刀刃上，直接帮助您降低系统温升，提升整体可靠性并延长产品寿命。

选择STF10N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也兼顾了生产的便利性。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关频率设计拥有更大裕度，轻松实现更高功率密度。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，遍布全球的ST代理商网络将是您坚实的后盾。立即将STF10N60M2纳入您的设计，让它成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子产品的秘密武器，开启能效表现的新篇章。

• 型号:STF10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF10N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STF10N60M2正是为您的高效设计而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和仅600毫欧的超低导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的开关电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更节能。

它集成了意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，不仅提供7.5A的强大电流处理能力，更具备优化的开关特性。更低的栅极电荷让驱动更轻松，开关速度更快，从而帮助您减少开关损耗，轻松实现更高的工作频率和更紧凑的磁性元件设计。选择STF10N60M2，就是为您的产品注入了高效可靠的核心动力。