STF10N62K3

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题所困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF10N62K3。这颗来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道功率MOSFET，以其620V的高耐压和仅为750毫欧的超低导通电阻，重新定义了高效功率转换的标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STF10N62K3能够轻松应对严苛的工作环境。其卓越的开关特性与极低的栅极电荷（仅42nC），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在满载运行时依然保持冷静与高效。无论是工业变频器、UPS不间断电源，还是LED照明驱动，它都能提供稳定而强劲的动力核心，确保您的终端产品在竞争中脱颖而出。

选择STF10N62K3，就是选择了一份安心与远见。TO-220FP封装提供了优异的散热能力，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性和长寿命。这意味着更低的故障率、更少的维护成本和更高的客户满意度。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理至关重要，他们能确保您获得正品货源与全面的设计资源，让您的创新之路畅通无阻。立即将STF10N62K3纳入您的设计，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STF10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF10N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STF10N62K3来为您解决！这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的漏源电压和8.4A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入强劲动力。

它的核心魅力在于极致的效率。750毫欧的超低导通电阻和仅42nC的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，配合宽广的工作温度范围，让您轻松应对各种严苛环境，打造出高效、可靠且寿命长久的终端产品。