STF10N95K5

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高压开关应用中的损耗与散热问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个划时代的解决方案STF10N95K5。这款来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和仅为800毫欧的超低导通电阻，重新定义了高压功率器件的性能标杆。它不仅意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，更代表着在严苛工况下无与伦比的稳定性和耐用性，是您提升产品竞争力的秘密武器。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源或高效照明镇流器中，STF10N95K5正以其强悍的性能默默工作。它能够轻松应对电网波动和复杂的负载变化，确保能量转换过程平滑而高效。其卓越的开关特性与热性能，让您的系统即使在满负荷运行下也能保持冷静，大幅延长设备的使用寿命。无论是追求极致功率密度的紧凑型设计，还是要求长期稳定运行的关键基础设施，这颗芯片都能成为您最值得信赖的核心。

选择STF10N95K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它不仅仅是一个参数出色的元器件，更是意法半导体深厚技术积淀的结晶。其TO-220FP封装兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺，让您的生产与维护都更加轻松。更重要的是，通过值得信赖的ST中国代理，您可以获得稳定可靠的供货渠道、专业的技术支持以及全面的品质保证，确保您的项目从研发到量产一路畅通。立即采用STF10N95K5，让它为您的下一代高性能电源和驱动方案注入强大动力，共同开启能效新时代。

• 型号:STF10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF10N95K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时征服高压与高效率挑战的“心脏”吗？STF10N95K5正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和仅800毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，运行更凉爽。

它内置的强劲性能，让您轻松驾驭服务器电源、工业驱动、UPS等高压应用。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关动作，而宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则提供了无与伦比的可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高效动力核心。