STF10NK50Z

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在高压、大电流的应用中，既保证系统的稳定运行，又能有效控制功耗与成本？答案或许就藏在一颗经过市场验证的经典功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族的杰出代表STF10NK50Z。这款N沟道MOSFET以其500V的卓越耐压能力和9A的连续漏极电流，为您的高要求应用提供了一个坚实而高效的功率开关解决方案。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，需要一颗能够从容应对高压冲击、同时保持低导通损耗的核心开关。STF10NK50Z正是为此而生。它采用先进的SuperMESH技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至700毫欧，这意味着在导通状态下，它能将能量损耗降至更低，让更多的电能转化为有效输出，直接提升整机效率。其高达30W的功率耗散能力，配合TO-220FP封装优秀的散热特性，确保了即使在严苛的工作环境下也能稳定工作，温度范围覆盖-55°C至150°C，可靠性毋庸置疑。

选择STF10NK50Z，不仅仅是选择了一个高性能的元器件，更是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过大量应用验证的成熟方案。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其成为许多经典设计升级或维护时的优选。对于库存采购或特定项目需求，您可以咨询专业的ST代理商，获取关于库存、替代方案或技术支持的详细信息。让这颗凝聚了尖端技术与实用智慧的MOSFET，成为您提升产品竞争力、打造高效可靠电力系统的秘密武器。

• 型号:STF10NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1219 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF10NK50Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的功率开关？STF10NK50Z就是您的理想答案。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和9A的连续电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景而生。

它的核心价值在于，通过低至700毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力，轻松应对高负荷工作。选择它，就是为您的设计注入一份经久耐用的高性能保障。