STF10NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF10NM50N技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临功率密度与散热管理的两难抉择？现在，一个成熟可靠的答案正静候您的选择STF10NM50N。这款源自意法半导体MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，以其卓越的500V耐压和7A连续电流能力，早已成为众多经典设计中不可或缺的功率开关核心。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、简化散热设计的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，需要一颗能够稳健应对高压开关动作的“心脏”。STF10NM50N正是为此而生。其低至630毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的发热量和更高的整体效率。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业照明中的LED驱动，这颗芯片都能帮助您的系统在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STF10NM50N，就是选择了一份经过市场长期验证的安心。其TO-220FP封装在提供坚固物理保护的同时，也兼顾了优异的散热性能，让您的热设计更加游刃有余。尽管该型号已处于停产状态，但其庞大的市场存量和完善的技术资料，使其依然是许多现有产品维护、升级或特定成本敏感型新项目设计的绝佳选择。通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取到品质有保障的货源，确保您的生产连续性与产品一致性。让这颗凝聚了ST先进工艺的功率器件，继续为您的创意注入稳定而强大的动力。

型号:STF10NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热挑战烦恼吗？让STF10NM50N为您提供成熟高效的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源击穿电压和7A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗最大仅630毫欧的Rds(on)能显著减少开关过程中的热量产生，直接提升您的系统能效，让电源设计更紧凑、更凉爽。

它采用经典的TO-220FP封装，安装牢固且散热性能优异，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境。无论是构建开关电源、PFC电路，还是驱动电机，STF10NM50N都能以稳定的表现，助您降低系统复杂度，提升整体可靠性，是历经考验的功率管理优选。