STF11N50M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF11N50M2技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在高压、高电流的严苛环境下，既保证系统稳定运行，又能有效控制开关损耗与温升？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II Plus家族的杰出代表STF11N50M2。这颗500V/8A的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STF11N50M2正以其卓越的表现默默工作。它采用先进的MDmesh II Plus技术，将超低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）完美结合。这意味着在每一次开关动作中，它都能将导通损耗和开关损耗降至更低，让您的系统效率轻松攀升。其高达500V的漏源击穿电压，为应对电网波动和感性负载关断时的电压尖峰提供了充裕的安全裕量，确保系统在复杂工况下的坚如磐石。无论是工业电源、照明镇流器，还是家用电器中的功率模块，它都能游刃有余，成为能量高效转换的可靠基石。

选择STF11N50M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与机械强度。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能适应从寒带到热带的各类环境挑战。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道获取此产品时，您获得的不仅是原装正品的质量保证，还有完整的技术支持与供应链服务，让您的项目开发与量产全程无忧。尽管该型号已处于停产状态，但其经典的设计和可靠的性能在特定应用和备件市场中依然闪耀着价值，是构建高性价比、高可靠性方案的智慧之选。

型号:STF11N50M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？STF11N50M2正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的500V N沟道MOSFET，集成了MDmesh II Plus技术的精髓，旨在让您的功率设计事半功倍。

它拥有8A的连续漏极电流能力和低至530毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷（仅12nC @10V）和输入电容，让开关速度更快、损耗更低，帮助您轻松实现更高频率的紧凑设计。其坚固的TO-220FP封装和25W的功率耗散能力，确保了出色的热管理，让系统运行更稳定、更持久。