STF11N52K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF11N52K3技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STF11N52K3。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH3技术家族的杰出代表，专为应对高压、高效率的严苛挑战而生。凭借其高达525V的漏源电压和10A的连续电流能力，它为您的高压开关应用注入了前所未有的可靠性与动力，让系统设计从妥协走向卓越。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，STF11N52K3正稳定高效地工作着。其极低的导通电阻（仅510毫欧）意味着更少的能量以热的形式浪费，直接提升了整机效率并简化了散热设计。TO-220FP封装提供了优异的功率耗散能力，确保器件在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定运行，无论是严寒的户外环境还是高温密闭的机箱内部，它都是您值得信赖的伙伴。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的品质基石。

为何众多领先厂商在关键设计中信赖STF11N52K3？答案在于其背后强大的技术基因与无与伦比的性价比。SuperMESH3技术优化了开关特性，显著降低了栅极电荷和输出电容，这使得开关速度更快、损耗更低，特别适用于高频开关电源。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，与权威的ST一级代理合作至关重要，他们能确保您获得正品货源和全面的应用指导。虽然该型号已停产，但其卓越的性能和在存量市场中的经典地位，使其依然是特定升级换代或长期维护项目的明智之选，用成熟可靠的方案保障您产品的生命周期价值。

型号:STF11N52K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 525V 10A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:525 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STF11N52K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和10A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或照明系统时，轻松应对高压侧开关的严峻考验。

它的核心魅力在于极致的效率。仅510毫欧的超低导通电阻，大幅降低了导通损耗，直接提升您的系统能效。同时，优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关动作，减少开关损耗和EMI干扰。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，助您构建更紧凑、更可靠的功率模块。选择STF11N52K3，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得先机。