STF11N65M2

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh II Plus系列中的明星产品STF11N65M2。这款650V、7A的N沟道MOSFET，以其卓越的电气特性，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STF11N65M2正稳定高效地工作。其高达650V的漏源击穿电压，为您提供了充裕的电压裕量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而670毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间的能量损耗被降至极低，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是工业照明驱动、家用电器电源，还是充电桩模块，它都能让您的设计运行得更冷静、更持久。

选择STF11N65M2，就是选择了一份来自意法半导体尖端技术的保障。MDmesh II Plus技术专为优化开关性能而生，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统在更高频率下运行成为可能，从而缩小磁性元件的体积，实现整体方案的小型化。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性。我们作为专业的ST芯片代理，不仅为您提供稳定可靠的货源，更能提供深入的技术支持，帮助您将这颗芯片的潜力发挥到极致。让STF11N65M2成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STF11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF11N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能大幅提升电源转换效率、同时保持系统稳定可靠的核心开关器件吗？STF11N65M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和仅670毫欧的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它具备7A的连续电流能力，结合优化的栅极电荷特性，可实现快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗，让您轻松应对高频设计挑战。无论是用于功率因数校正、反激式转换器还是电机控制，STF11N65M2都能让您的系统效率迈上新台阶，同时其坚固的TO-220FP封装和宽工作温度范围确保了在苛刻环境下的长久耐用性。