STF12NK80Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF12NK80Z技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压、大电流应用下的开关损耗和散热问题而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STF12NK80Z，这颗800V耐压、10.5A电流能力的N沟道MOSFET，正是为打破效率瓶颈、提升系统可靠性而生的高性能解决方案。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或工业电机驱动器中，STF12NK80Z能够轻松应对高达800V的电压应力，其卓越的SuperMESH技术带来了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在传导过程中产生的热量更少，电能得以更高效地传递。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗，让您的系统即使在高达150°C的结温下也能稳定运行，不仅提升了整体效率，更大幅延长了设备的使用寿命和可靠性。

无论是家用电器中的高效电源适配器，还是工业自动化设备中要求严苛的电机控制，甚至是照明领域的LED驱动，STF12NK80Z都能凭借其优异的性能成为核心开关器件的理想选择。其经典的TO-220FP封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，让工程师的设计与生产流程更加顺畅。选择它，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的技术实力。我们信赖的ST代理伙伴将为您提供全面的技术支持与供应链保障，确保您能无忧地将这颗高性能芯片集成到您的下一代创新产品中，共同开启高效、可靠的能源转换新篇章。

型号:STF12NK80Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压应用中的功率器件选型而犹豫吗？让STF12NK80Z来为您提供强大助力！这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有800V的漏源电压和10.5A的连续电流能力，专为要求高效率与高可靠性的场景设计。

它能为您做什么？其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，这直接转化为更低的传导与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。高达40W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下的稳定表现。选择它，您就为产品注入了强劲、可靠的“心脏”，轻松应对各种高压功率挑战。