STF130N10F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF130N10F3技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达46A的连续电流下，将导通电阻压降至仅9.6毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的杰出力作STF130N10F3。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是基于先进STripFET III技术打造的高性能引擎，专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用而生。

当您在设计新一代的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器时，STF130N10F3的价值将得到淋漓尽致的展现。其100V的漏源电压和卓越的开关特性，让它成为处理中高功率任务的理想选择。无论是驱动一台精密的工业设备，还是为数据中心的关键负载提供稳定高效的能源，这颗芯片都能以极低的导通损耗和出色的热性能，确保系统长时间稳定运行，同时大幅降低整体的温升和散热成本。这意味着您的终端产品不仅能拥有更长的使用寿命，还能在激烈的市场竞争中凭借卓越的能效脱颖而出。

选择STF130N10F3，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其TO-220FP封装提供了优异的通孔安装可靠性和散热能力，而宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则赋予了它应对各种恶劣环境挑战的坚韧体魄。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和久经考验的性能，使其在诸多存量升级或特定高可靠性项目中依然极具价值。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们建议您通过官方授权的ST芯片代理进行咨询与采购。让STF130N10F3成为您下一个成功产品的强大心脏，驱动创新，赢取未来。

型号:STF130N10F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:35W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STF130N10F3正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达46A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于仅9.6毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流应用，如电机控制或电源转换中，它能显著减少导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

同时，其优化的栅极电荷（Qg）和快速的开关特性，能帮助您轻松提升开关频率，从而缩小磁性元件的体积，实现更高功率密度的设计。无论是面对工业自动化中的严苛挑战，还是追求消费类电源的极致效率，STF130N10F3都能以卓越的性能和可靠性，助您一臂之力，让产品设计事半功倍。