STF13NM60N-H

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您隆重介绍一款历经市场验证的功率解决方案STF13NM60N-H。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。其600V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，为您构建坚固的功率转换核心提供了坚实基础，让系统在面对电压波动时依然稳如磐石。

想象一下，无论是工业电源、照明驱动，还是家用电器中的电机控制，STF13NM60N-H都能无缝融入。它卓越的导通电阻特性（低至360毫欧）意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的能量浪费和更低的运行温度。这对于需要长时间稳定运行的设备至关重要，比如服务器电源或户外LED驱动，它能有效延长产品寿命，提升终端用户的信赖度。其TO-220FP封装不仅提供了良好的散热路径，也便于在空间有限的PCB上进行布局和安装。

选择STF13NM60N-H，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的市场应用历史，库存产品依然是许多成熟方案升级或维护的优选。它平衡了性能与成本，让您在不必追求最新尖端型号的情况下，依然能获得高效、稳定的功率输出。当您需要可靠的ST产品支持时，可以随时联系专业的ST芯片代理，获取关于库存、替代方案或技术方面的专业建议。让这颗凝聚了ST智慧结晶的功率器件，成为您产品性能提升和竞争力增强的秘密武器。

• 型号:STF13NM60N-H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF13NM60N-H，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STF13NM60N-H正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，拥有600V的击穿电压和11A的电流处理能力，让您轻松应对AC-DC电源、电机驱动、PFC电路等应用中的核心开关任务。

这颗芯片能为您做什么？它极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，直接提升系统整体能效，让您的产品更省电。优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI），让设计更简洁，系统运行更稳定可靠。选择它，就是为您的功率设计注入一份高效与宁静的力量。