STF13NM60N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，让我们向您介绍一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STF13NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的MDmesh II技术，将600V的耐压能力和11A的连续电流完美结合，为您带来前所未有的效率提升和设计自由度。它不仅仅是一个开关器件，更是您构建高效、紧凑、耐用电源系统的基石。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STF13NM60N正以其极低的导通电阻（仅360毫欧）和优化的栅极电荷（30nC）大显身手。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是工业变频器、UPS不间断电源，还是家用电器中的高效电源模块，这颗芯片都能确保能量以最顺畅、最经济的方式流动，让您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STF13NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，大大提升了系统的长期可靠性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF13NM60N成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STF13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF13NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STF13NM60N正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh II技术，拥有600V的击穿电压和11A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态参数，能显著降低开关损耗和传导损耗。

这颗芯片能让您的电源设计事半功倍。它帮助您轻松构建出效率更高、发热更小的开关电源、照明镇流器或电机驱动电路。其坚固的TO-220FP封装和宽广的结温范围，确保了在各种应用环境中都能稳定持久地工作，让您的产品不仅高效，而且耐用可靠。