STF150N10F7

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时实现低导通电阻与快速开关性能的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的卓越之作STF150N10F7，这颗基于先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，正是为应对高要求应用而生的性能标杆。

当您需要处理高达65A的连续电流和100V的电压时，STF150N10F7展现出了令人惊叹的实力。其低至4.2毫欧的导通电阻，意味着在55A的大电流下，导通损耗被大幅削减，更多的电能被高效转换而非浪费为热量。这直接转化为更低的温升、更高的系统可靠性，以及更紧凑的散热设计空间。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC转换器，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择STF150N10F7，就是选择了一种经过验证的卓越与安心。它集成了意法半导体DeepGATE等核心技术，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了精妙平衡。其优化的栅极电荷特性有助于降低驱动损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。尽管该型号已停产，但其卓越的设计和可靠性在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。对于寻求稳定、高性能解决方案的工程师而言，通过可靠的ST代理渠道获取，无疑是保障供应链与产品品质的明智之举。让STF150N10F7成为您强大产品背后的沉默功臣，释放每一瓦电能的全部潜力。

• 型号:STF150N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF150N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STF150N10F7正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的100V/65A N沟道MOSFET，凭借其惊人的4.2毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用先进的STripFET VII技术，不仅开关性能出色，更能轻松应对-55°C到175°C的极端工作温度挑战。无论是提升现有设计的效率，还是为高可靠性的工业应用保驾护航，STF150N10F7都能以强大的性能，让您的产品脱颖而出。