STF15N80K5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为开关损耗、系统稳定性与成本控制之间的平衡而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF15N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压和14A的强大电流处理能力，正重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器系统中，STF15N80K5能够轻松应对严苛的电压应力。其所属的SuperMESH5技术家族，意味着它天生就拥有极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）。这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，让您的系统在满载运行时依然保持冷静，效率显著提升，同时减少了散热设计的复杂性与成本。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是新能源领域的功率转换单元，它都能提供稳定、高效的心脏动力。

选择STF15N80K5，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然稳定可靠。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容广泛的生产工艺。更重要的是，当您通过值得信赖的ST中国代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，还有专业的技术支持与快捷的本土化服务，让您的产品从研发到量产一路畅通。这不仅仅是一颗芯片，更是我们与您共同构建高效、可靠电力未来的坚实承诺。

• 型号:STF15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF15N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STF15N80K5正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和14A的连续电流能力，旨在让您轻松驾驭开关电源、电机驱动等高要求应用。

它通过极低的375毫欧导通电阻和优化的栅极电荷，大幅降低导通与开关损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，其坚固的TO-220FP封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。