STF16N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF16N65M5技术参数详情：

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一款能够在高压环境下稳定工作，同时兼顾出色开关性能的功率器件？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STF16N65M5。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统效率、降低整体能耗、并确保长期稳定运行的关键伙伴。凭借其650V的卓越耐压能力和高达12A的连续漏极电流，这颗芯片为您的设计注入了强大的动力源泉，让每一次开关都精准而高效。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，STF16N65M5正发挥着核心作用。它先进的MDmesh V技术，通过优化的单元结构和工艺，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在相同的工作条件下，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源系统运行得更“冷静”，效率更高，直接转化为可观的能源节约和更小的散热设计压力。无论是工业自动化设备中的电机控制，还是服务器电源中的高效电能转换，它都能轻松应对，确保系统在严苛环境下依然保持强劲输出。

选择STF16N65M5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，还兼顾了良好的散热特性，支持高达150°C的结温工作，让您的产品设计拥有更宽的安全裕度和更长的使用寿命。更低的栅极电荷意味着您可以采用更简单的驱动电路，从而简化设计、降低成本。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，我们的ST芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF16N65M5成为您下一个成功项目的坚实基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STF16N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在为高压、高功率应用寻找一颗可靠的心脏吗？STF16N65M5 N沟道功率MOSFET正是为您而来！它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，集650V高耐压与12A大电流能力于一身，让您轻松驾驭开关电源、电机驱动等苛刻场景。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的效率。它实现了极低的导通电阻（仅299毫欧）与优化的栅极电荷的出色平衡，能显著降低导通与开关损耗。这意味着您的系统将运行得更高效、更凉爽，直接帮助您提升产品能效等级并简化散热设计。其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温工作能力，更为您的设备提供了持久的可靠性保障。