STF16NK60Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF16NK60Z技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升成为难题时，您是否在寻找一个既能扛住高压，又能保持冷静高效的解决方案？今天，我们为您带来的STF16NK60Z，正是意法半导体SuperMESH家族中一颗久经市场考验的明星功率器件，它专为解决此类挑战而生。凭借其卓越的600V耐压能力和优化的动态特性，它能显著降低开关过程中的能量损失，让您的电源系统不仅运行更稳定，整体能效也跃升到一个新的台阶。

这颗芯片的应用场景极为广泛，尤其在高频开关电源、功率因数校正（PFC）、电机驱动以及照明镇流器等对可靠性和效率要求苛刻的领域大放异彩。想象一下，在工业变频器中，它能够精准、快速地控制电机运转；在服务器电源里，它助力实现更高功率密度和更低的待机功耗；甚至在您日常接触的LED驱动中，它也能确保长久稳定的光线输出。其TO-220FP封装提供了良好的散热和机械强度，非常适合需要高可靠性的通孔安装应用。

选择STF16NK60Z的理由非常充分。首先，它传承了ST意法半导体SuperMESH技术的精髓，在导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）之间取得了绝佳平衡，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。其次，高达14A的连续漏极电流和150°C的最高结温，赋予了它强大的过载能力和宽广的工作安全区。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在存量市场和特定升级方案中依然极具价值。如果您正在寻找可靠的库存或替代方案，可以咨询专业的ST代理，他们能为您提供全面的产品生命周期支持与备选建议。总而言之，STF16NK60Z不仅仅是一个组件，它是提升您产品竞争力、实现高效节能目标的强大引擎。

型号:STF16NK60Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压开关应用的效率与发热问题烦恼吗？让STF16NK60Z来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，是您构建高效、可靠功率系统的理想核心。

它采用了先进的SuperMESH技术，将导通电阻显著降低，同时优化了栅极电荷。这意味着在您的高频开关电路中，它能大幅减少导通和开关损耗，让电能转换更高效，系统运行更凉爽。其TO-220FP封装易于安装且散热良好，能帮助您轻松应对电机驱动、开关电源、PFC电路等各种高压应用挑战，提升整体产品的性能和可靠性。