STF18N55M5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题所困扰？现在，一个划时代的解决方案已经到来STF18N55M5，这颗基于意法半导体革命性MDmesh V技术的N沟道MOSFET，正是为突破传统性能瓶颈而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的核心引擎，将高电压、大电流应用的能效表现推向全新高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高性能LED照明或电动汽车充电桩等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理550V的高压和高达16A的连续电流。STF18N55M5凭借其卓越的电气特性，让这一切变得游刃有余。其超低的导通电阻（仅192毫欧）意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的电源设计在高效与可靠之间找到完美平衡，轻松应对150°C结温的挑战。

选择STF18N55M5，就是选择了一份经得起未来考验的保障。它继承了意法半导体在功率半导体领域数十年的深厚积淀，MDmesh V技术带来了更优的品质因数，使得在相同的封装尺寸下，性能得到大幅跃升。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热能力，也兼顾了安装的便利性与机械强度。当您致力于打造高效、紧凑且可靠的下一代电力电子设备时，这颗芯片将成为您最值得信赖的伙伴。为确保您能获得稳定可靠的正品供应与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功保驾护航。

• 型号:STF18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF18N55M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持极低损耗的功率开关吗？STF18N55M5正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh V技术的550V/16A N沟道MOSFET，旨在让您的电源和电机驱动设计脱胎换骨。

它为您带来的核心价值是极致的高效与可靠。超低的导通电阻（Rds(on)）大幅减少了导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗，让系统整体能效跃升新台阶。其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温工作能力，确保它在严苛环境下也能稳定运行，让您轻松构建出更紧凑、更凉爽、性能更强大的终端产品。