STF18N60DM2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF18N60DM2技术参数详情：

当您在设计下一个电源转换系统时，是否曾为在效率、可靠性和成本之间寻找完美平衡点而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍STF18N60DM2，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。它承载着业界领先的MDmesh DM2技术基因，将600V的耐压能力与仅为295毫欧的超低导通电阻完美结合，意味着在相同的功率等级下，它能显著降低导通损耗，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而不是以热量的形式白白浪费。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STF18N60DM2能够轻松应对严苛的工作环境。无论是工业自动化设备中需要持续稳定运行的电机控制器，还是消费类电子中追求高效节能的适配器，这颗芯片都能以其13A的连续电流处理能力和卓越的开关特性，确保系统运行如丝般顺滑。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得驱动设计更为简单，开关速度更快，从而帮助您实现更高频率的电源设计，让您的产品体积更小巧，性能却更强劲。

选择STF18N60DM2，就是选择了一份经得起考验的承诺。它采用坚固的TO-220FP封装，提供了出色的散热性能和机械可靠性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定如一。这意味着更长的产品寿命和更低的现场故障率，直接为您节省维护成本并提升品牌声誉。当您需要获得正品保障和及时的技术支持时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这不仅是对您项目质量的负责，更是通往成功设计最可靠的捷径。让STF18N60DM2成为您下一个明星产品的核心动力，共同开启高效、可靠的能量新纪元。

型号:STF18N60DM2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在寻找那颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”吗？STF18N60DM2正是为您而来！这颗基于ST先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流承载能力，其核心价值在于为您大幅提升系统能效。超低的导通电阻意味着更少的能量损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更“冷静”、更持久。

它卓越的开关特性（如低栅极电荷）让您能够轻松设计出更高频率、更紧凑的电路，从而优化整体系统尺寸与成本。无论是面对工业级的严苛挑战，还是消费电子对效率的极致追求，STF18N60DM2都能让您的设计脱颖而出，以稳定可靠的表现为产品注入强大竞争力。