STF19NF20 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF19NF20技术参数详情：

想象一下，您的下一个电源转换或电机驱动项目，能否在效率、可靠性和成本之间找到完美的平衡点？这正是STF19NF20这款N沟道功率MOSFET为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、加速产品上市的秘密武器。源自意法半导体备受赞誉的MESH OVERLAY技术平台，这颗芯片在200V的电压等级和15A的连续电流能力下，展现出了卓越的能效表现，其低至160毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，直接将电能浪费降至最低，让您的设备运行更凉爽，续航更持久，整体效率迈上一个新台阶。

无论是工业自动化中驱动伺服电机，还是消费类电源适配器中进行高效的DC-DC转换，甚至是新能源领域如太阳能逆变器的关键开关，STF19NF20都能游刃有余。它坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热能力和机械强度，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作温度范围，为您的设计提供了宽广的安全边际和长期稳定运行的信心。当您需要一款能够扛住高功率、高频率开关挑战的可靠开关时，它总是那个值得信赖的选择。

选择STF19NF20，就是选择了一份由全球半导体巨头ST意法半导体背书的质量承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为简化，有助于降低系统整体复杂性和成本。对于正在寻找稳定货源和专业技术支持的中国开发者来说，通过官方授权的ST中国代理进行采购，不仅能确保产品的原装正品与可靠供应，还能获得本土化的快速响应与深入的技术服务。这意味着您可以将更多精力专注于核心创新，而将功率开关的可靠性难题，放心地交给STF19NF20来解决，它正是助力您的产品在市场竞争中脱颖而出的强大引擎。

型号:STF19NF20
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为功率开关的损耗和发热问题烦恼吗？让STF19NF20来改变这一切！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V耐压和15A的强劲电流处理能力，其核心价值在于极高的开关效率。得益于先进的MESH OVERLAY技术，它实现了极低的导通电阻，能显著减少能量损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器应用运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际使用的便捷与可靠。优化的栅极特性让驱动变得轻松，而坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热性能，即使在严苛环境下也能稳定工作。选择STF19NF20，就是为您的高性能设计注入一颗强劲而可靠的心脏，轻松应对功率转换的各种挑战，全面提升终端产品的竞争力。