STF20N95K5

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而反复权衡？现在，答案来了。凭借意法半导体革命性的SuperMESH5技术，STF20N95K5重新定义了高压MOSFET的性能标杆，它将卓越的950V击穿电压与行业领先的低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和设计自由度。这颗芯片不仅仅是一个开关，它是您构建高效、紧凑、可靠电源系统的基石，让能量转换过程变得前所未有的顺畅与宁静。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明驱动这些严苛的应用场景中，STF20N95K5正发挥着它的核心威力。它高达17.5A的连续电流承载能力和仅330毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的功率等级下，它能显著降低导通损耗，减少发热，从而允许您设计出更小巧的散热系统，甚至实现无风扇的静音运行。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的产品轻松满足最严格的能效与安规标准。

选择STF20N95K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与长期价值。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和长期稳定性。TO-220FP封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达40W），也兼顾了安装的便利性与生产的可制造性。当您需要可靠、高性能的解决方案来赢得市场竞争时，与值得信赖的ST芯片代理合作，获取正品STF20N95K5及全面的技术支持，无疑是您最明智的决策。立即采用，开启您下一代高效电源设计的新篇章！

• 型号:STF20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF20N95K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且保持冷静高效的功率开关吗？STF20N95K5正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的SuperMESH5技术，集成了950V的超高耐压和17.5A的强大电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或逆变器时，轻松应对高压浪涌，实现更高的功率密度和系统可靠性。

这颗芯片的核心魅力在于其极低的330毫欧导通电阻和优化的动态特性。这意味着它能显著减少导通损耗，降低工作温度，从而让您的设备运行更凉爽、寿命更长久。同时，其出色的开关性能有助于简化您的电路设计，提升整体能效，让您轻松满足日益严苛的能效法规，打造出更具市场竞争力的绿色产品。