STF22N60DM6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF22N60DM6技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，一个卓越的答案已经到来STF22N60DM6，这颗源自ST意法半导体MDmesh M6家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而精心打造。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效能量转换、构建可靠电力系统的核心基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明系统中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STF22N60DM6凭借其高达600V的漏源电压和15A的连续漏极电流能力，为这些严苛应用提供了坚实的保障。其核心魅力在于MDmesh M6技术的加持，这项技术通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻，在7.5A电流、10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为230毫欧。这意味着在相同的电流下，芯片自身的功耗更低，产生的热量更少，从而让您的系统运行得更凉爽、更持久。更低的栅极电荷（典型值20nC @10V）和输入电容，则确保了极快的开关速度，减少了开关损耗，让高频高效运行成为可能。

选择STF22N60DM6，就是选择了一份从容与可靠。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和TO-220FP封装带来的出色散热能力，使其能够轻松应对环境波动与持续高负载的挑战。无论是面对突发的电流冲击，还是需要长时间稳定运行，它都能以卓越的电气性能和坚固的物理结构，守护您系统的每一分稳定。当您需要为项目寻找这颗性能与可靠性兼备的“心脏”时，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得专业的技术支持与供应链保障，让您的产品开发之路更加顺畅。让STF22N60DM6成为您下一个成功设计的强大引擎，共同开启高效节能的新篇章。

型号:STF22N60DM6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STF22N60DM6正是您期待的解决方案。这颗采用先进MDmesh M6技术的600V/15A N沟道MOSFET，旨在为您大幅降低导通与开关损耗。其极低的导通电阻（典型230mΩ）和栅极电荷，让您的电源系统运行得更高效、更凉爽，直接提升整体能效和功率密度。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业电机驱动、UPS和照明镇流器等中高功率应用。坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的长期稳定性和可靠性。选择STF22N60DM6，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且值得信赖的“心脏”，助您快速实现性能突破。