STF23NM60ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF23NM60ND技术参数详情：

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对严苛的散热挑战时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐STF23NM60ND，这颗来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保系统可靠性的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高效照明系统等关键应用中，稳定与效率就是生命线。STF23NM60ND凭借其高达600V的漏源电压和19.5A的连续漏极电流能力，为这些高压、大电流场景提供了坚实的保障。其卓越的FDmesh II技术，意味着更低的导通电阻（典型值仅180毫欧），这直接转化为更少的能量损耗和更低的发热量，让您的系统在长时间满负荷运行时依然冷静从容，显著提升整体能效比和产品寿命。

选择STF23NM60ND，就是选择了一份安心与远见。它高达150°C的结温工作能力和35W的强大功率耗散，赋予了产品无与伦比的鲁棒性，轻松应对恶劣的工作环境。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，也兼顾了散热需求。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源设计可以运行在更高频率，从而使用更小的磁性元件，实现系统的小型化和成本优化。如果您正在寻找值得信赖的供货渠道，我们的合作伙伴专业的ST中国代理，将为您提供从样品到批量的一站式服务和技术支持。让STF23NM60ND成为您下一个成功产品的核心动力，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STF23NM60ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:35W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STF23NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和19.5A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷和电容特性，让您能轻松实现更快的开关频率，从而简化磁性元件设计，助力产品小型化。高达150°C的结温额定值和TO-220FP的坚固封装，确保了它在严苛环境下的长期稳定工作。选择STF23NM60ND，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”，轻松驾驭从工业电源到能源基础设施的各种挑战。