STF24NM60N

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一颗能同时兼顾高性能与高性价比的“心脏”？答案或许就藏在STF24NM60N这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。来自ST意法半导体的这款MDmesh II系列MOSFET，以其卓越的600V耐压和17A的连续电流能力，为您打开了通往高效、紧凑、可靠电源解决方案的大门。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动应用中，STF24NM60N正以其低至190毫欧的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）特性，默默工作着。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。无论是家用电器中的待机电源，还是工业设备中的辅助电源，这颗芯片都能确保能量以最经济、最稳定的方式传递，让您的产品在能效标准日益严格的今天脱颖而出。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，更是为各种严苛环境下的稳定运行提供了坚实保障。

选择STF24NM60N，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与持续的技术红利。MDmesh II专利技术带来的出色开关性能与雪崩耐量，让您的设计在应对电压尖峰和异常工况时更加从容。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容广泛的生产与安装工艺。当您需要可靠的技术支持与稳定的供货渠道时，别忘了我们作为值得信赖的ST中国代理，始终在这里，为您提供从芯片选型到批量供应的全程服务。让STF24NM60N成为您下一个成功产品的强大基石，与我们一同，将创新的电源设计变为现实。

• 型号:STF24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF24NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为如何平衡电源设计的效率、尺寸与成本而烦恼吗？让STF24NM60N来为您分忧！这颗来自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，是您构建高效、紧凑电源系统的理想选择。

它拥有600V的高耐压和17A的强大电流处理能力，配合低至190毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。同时，其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体成本。

无论是开关电源、照明镇流器还是电机驱动，STF24NM60N都能以其卓越的可靠性和性能，助您打造出更具市场竞争力的产品。