STF25N10F7

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否仍在为开关损耗、散热瓶颈和系统稳定性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STF25N10F7。这颗源自ST意法半导体先进工艺的功率MOSFET，以其100V的耐压和高达19A的连续电流承载能力，为您的高要求应用注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、优化系统效率的关键拼图。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、高效DC-DC转换器或电动工具中，每一次快速、精准的开关动作都至关重要。STF25N10F7正是为此而生。它采用了先进的STripFET VII技术和DeepGATE结构，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的35毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。极低的栅极电荷（仅14nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。无论是应对频繁启停的严苛工况，还是需要长时间稳定运行的场景，它都能游刃有余。

选择STF25N10F7，就是选择了一份经久考验的可靠与价值。其坚固的TO-220FP封装提供了优异的散热性能和机械强度，宽达-55°C至175°C的结温工作范围，让它无惧严寒酷暑，在各种环境下游刃有余。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其成为库存优化、经典设计维护或特定批次生产的绝佳选择。对于需要稳定供应与技术支持的用户，通过值得信赖的ST中国代理，您依然可以获取相关的产品信息与供应链支持，为您的项目保驾护航。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率器件，成为您打造高效、可靠、耐用电力系统的秘密武器，开启能效新纪元。

• 型号:STF25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在寻找一颗能兼顾高效开关与强劲电流处理能力的功率开关吗？STF25N10F7正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达19A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷。这能让您的电源转换或电机驱动系统显著降低损耗，提升整体效率，运行起来更凉爽、更安静。

它基于ST先进的STripFET VII技术打造，开关速度快，驱动简单。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，宽工作温度范围确保其在各种严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障，让您轻松应对高要求的功率控制挑战。