STF25NM50N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案STF25NM50N。这款源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压能力和高达22A的连续漏极电流，为您的系统注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关，更是提升整机效率、降低运行成本的关键钥匙。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效开关电源(SMPS)的应用场景中，每一次快速而精准的开关动作都至关重要。STF25NM50N凭借其优化的MDmesh II技术，实现了极低的导通电阻（典型值）和出色的开关特性。这意味着在相同的输出功率下，芯片自身的损耗更小，产生的热量更少，从而让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是应对频繁启停的电机控制，还是需要持续稳定输出的电源模块，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作。

选择STF25NM50N，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠保障。其经典的TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和焊接。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场存量，使其成为许多经典设计升级或长期维护项目的理想选择。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师而言，通过值得信赖的ST芯片代理进行采购，是确保获得正品货源和获取完整技术资料的最佳途径。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率器件，成为您打造高效、可靠电力系统的坚实基石，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STF25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF25NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF25NM50N正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和22A的强大电流吞吐能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时信心十足。

它的核心魅力在于极低的导通损耗和优异的动态性能。在10V驱动下，其导通电阻表现卓越，能显著减少功率损耗和发热，直接提升您的整机效率。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，运行更稳定。选择它，就是为您的产品选择了高效与可靠的双重保障。