STF26NM60ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF26NM60ND技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾因功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够重新定义高性能与高可靠性平衡的解决方案STF26NM60ND。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其FDmesh II技术平台，将600V的耐压能力与仅为175毫欧的超低导通电阻完美结合，为您的高压应用注入澎湃而精准的动力源泉。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STF26NM60ND正以其高达21A的连续电流承载能力稳定运行。它卓越的开关特性，得益于优化的栅极电荷（Qg）设计，能显著降低开关损耗，让整个系统的效率轻松跃升。这意味着您的设备不仅能以更低的温升持续工作，更能直接转化为更长的使用寿命和更低的运营成本，在激烈的市场竞争中为您构筑起坚实的性能护城河。

选择STF26NM60ND，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的可靠性，确保在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定输出。当您需要可靠的供应链与技术支持时，我们的ST中国代理团队将随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的关键伙伴。让它为您的下一个设计赋能，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STF26NM60ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:35W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STF26NM60ND正是为您而来！这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和21A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的175毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它精心优化的动态参数，如较低的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更小的驱动损耗，让您轻松提升系统整体能效。无论是面对工业环境的严峻考验，还是追求消费电子的精致能效，TO-220FP封装的它都能提供可靠的散热和电气连接，是您构建高性能、高可靠性功率电路的理想基石。