STF28NM60ND

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与23A大电流的功率开关，不仅自身损耗极低，还能让您的系统在高温下稳定运行，这将是怎样的体验？这正是STF28NM60ND为您带来的核心价值。作为意法半导体FDmesh II系列的代表作，它凭借先进的超结技术，将导通电阻（Rds(on)）控制在极低的150毫欧，这意味着在相同的输出功率下，它能显著减少导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。

无论是工业电机驱动、高性能开关电源（SMPS），还是不断电系统（UPS）和太阳能逆变器，STF28NM60ND都能游刃有余。其高达600V的漏源电压（Vdss）提供了充裕的电压余量，确保在电网波动或感性负载切换时依然安全可靠。而23A的连续漏极电流能力，让它足以驱动要求苛刻的中大功率设备。更值得一提的是其优化的动态特性，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着它开关速度更快，开关损耗更低，这对于提升系统整体频率、缩小磁性元件体积至关重要，让您的产品设计在性能和成本之间找到完美平衡点。

选择STF28NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，结合高达150°C的结温（TJ）和35W的功率耗散能力，赋予了系统强大的过载和高温工作韧性。虽然该型号已不适用于全新设计，但其卓越的性能和稳定性使其在存量市场、产品升级和维护领域依然拥有不可替代的价值。当您需要为现有系统寻找一个可靠、高效的功率核心时，STF28NM60ND无疑是一个经过时间淬炼的明智之选。如需获取正品保障与专业的技术支持，我们的ST芯片代理团队随时为您服务，助您将这颗高性能芯片的价值发挥到极致。

• 型号:STF28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF28NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源系统的效率瓶颈而烦恼吗？STF28NM60ND就是您突破限制的利器。这颗来自ST意法半导体FDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和23A的电流处理能力，其核心使命就是让您的功率转换过程更高效、更凉爽。极低的150毫欧导通电阻，能大幅削减导通损耗，直接提升系统能效，让每一瓦电力都物尽其用。

同时，它卓越的动态性能包括极低的栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，有效降低开关损耗，使您能够轻松应对高频开关应用。无论是驱动电机还是构建紧凑型电源，STF28NM60ND都能提供稳定可靠的功率开关解决方案，助您打造出性能更强、体积更小、散热更优的下一代产品。