STF2N95K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF2N95K5技术参数详情：

当您的电源设计面临高压、高可靠性的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住950V高压冲击，又能保持高效稳定运行的“心脏”而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STF2N95K5，这颗N沟道MOSFET正是为征服极端电气环境而生。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、确保系统长期稳定运行的强大保障。

想象一下，在您的开关电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STF2N95K5正发挥着核心作用。其高达950V的漏源电压（Vdss）意味着它能从容应对电网波动和感性负载带来的高压尖峰，为您的设备筑起一道坚固的安全防线。同时，仅5欧姆的最大导通电阻（在1A, 10V条件下）确保了在导通状态下极低的功率损耗，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的整体能效，让您的产品在节能和温控方面表现卓越。无论是面对-55°C的严寒还是150°C（TJ）的酷热，它都能稳定工作，适应各种恶劣环境。

选择STF2N95K5，就是选择了一份安心与高效。其采用的先进SuperMESH5技术，在击穿电压和导通电阻之间取得了完美平衡，让您在高压应用中无需在性能与损耗之间妥协。极低的栅极电荷（10nC @ 10V）和输入电容，使得开关速度更快，驱动更轻松，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关电源应用。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也确保了在振动环境下的高可靠性连接。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，请认准官方授权的ST一级代理，我们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF2N95K5成为您下一个明星产品的强大内核，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STF2N95K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:20W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压应用中的效率瓶颈和可靠性担忧吗？让意法半导体的STF2N95K5为您带来颠覆性的解决方案。这颗采用SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的超高耐压和仅5欧姆的低导通电阻，能轻松应对严苛的电压冲击，同时大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率显著提升。

它不仅能帮助您简化电路设计，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）更能让您实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，配合TO-220FP封装的出色散热，确保了它在各种极端环境下都能稳定运行，让您的产品拥有无与伦比的可靠性和市场竞争力。