STF30NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF30NM50N技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出、同时保持低损耗的功率开关器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STF30NM50N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈、简化高压应用设计而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高效照明镇流器的核心电路中，STF30NM50N正以其500V的高耐压能力和27A的连续电流承载实力，从容应对各种严苛的电气环境。其TO-220FP封装不仅提供了出色的通孔安装便利性和散热性能，更能确保在高达150°C的结温下稳定工作，让您的设备无惧高温挑战，持续可靠运行。无论是应对突发的浪涌电流，还是需要长时间满负荷工作，它都能提供坚实的保障。

选择STF30NM50N，意味着您选择了一种经过市场验证的高价值技术路径。其核心优势在于MDmesh II技术带来的超低导通电阻在10V驱动电压下仅115毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。更低的栅极电荷（94nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计轻松实现更高的开关频率和更小的磁性元件尺寸，从而优化系统成本与体积。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础使其在特定市场和存量项目中依然极具吸引力，通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取这颗经典器件，为您的经典产品或特定项目续写可靠篇章。让它成为您设计中沉默而强大的功臣，释放每一瓦电力的最大潜能。

型号:STF30NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、大电流挑战，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF30NM50N正是为此而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和27A的强大电流通过能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，面对高压母线更加从容自信。

它的卓越之处在于，能在10V驱动下实现仅115毫欧的超低导通电阻，显著降低功率损耗，直接提升您的整机效率。同时，优化的栅极电荷特性让开关更迅捷，驱动更轻松，帮助您简化驱动电路设计，并有望提高开关频率以缩小外围元件体积。高达40W的耗散功率和150°C的工作结温，配合TO-220FP封装的良好散热性，确保它在严苛环境中也能稳定输出，让您的产品可靠性迈上新台阶。