STF35N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的高性能解决方案STF35N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其先进的MDmesh DM2技术，将600V的耐压能力与低至110毫欧的导通电阻完美结合，为您带来前所未有的高效率与可靠性。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器等严苛的应用场景中，STF35N60DM2能够稳定、高效地处理高达28A的连续电流。其卓越的开关特性，得益于仅54nC的低栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在频繁启停和高频运作下依然保持冷静与高效。无论是应对峰值负载还是持续运行，它都能确保能量以最小的损失进行转换，直接转化为更长的设备寿命和更低的运营电费。

选择STF35N60DM2，就是选择了一份经得起考验的品质承诺。它采用坚固的TO-220FP封装，确保了出色的功率耗散能力（高达40W）和便捷的安装方式。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能够从容应对各种极端环境挑战。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道采购时，您获得的不仅是原装正品保障和完整的技术支持，更是从设计到量产全程无忧的合作伙伴关系。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入持久动力与市场信心的战略投资。

• 型号:STF35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF35N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又高效的“心脏”吗？STF35N60DM2正是您期待的答案。这颗采用ST先进MDmesh DM2技术的600V/28A N沟道MOSFET，以其极低的110毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比大幅提升。

它拥有优异的动态特性，低栅极电荷（54nC @10V）确保快速干净的开关，帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您以更高的可靠性和效率应对挑战。

其坚固的TO-220FP封装和40W的功率耗散能力，为您提供了强大的散热保障和便捷的装配体验。选择STF35N60DM2，就是为您的下一个成功产品选择了一个高效、可靠的能量控制核心。