STF5N105K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF5N105K5技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能够轻松驾驭1050V高压环境，同时保持出色导通性能的功率开关，将为您的产品带来怎样的飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh系列中的明星产品STF5N105K5，它正是为解决此类挑战而生，以其卓越的高压耐受能力和高效的开关特性，重新定义了中功率高压应用的性能标准。

无论是工业电源、UPS不间断电源，还是新能源领域的太阳能逆变器或充电桩模块，稳定可靠的高压开关都是系统的心脏。STF5N105K5凭借其1050V的超高漏源电压和3A的连续漏极电流，为您构筑起坚固的安全防线，确保在严苛的电压波动下依然稳如磐石。其采用的先进MDmesh技术，实现了更低的导通电阻（典型值3.5欧姆@1.5A, 10V）和更优的开关性能，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接助力您的终端产品提升能效等级，减少散热设计复杂度，从而在激烈的市场竞争中赢得先机。

选择STF5N105K5，就是选择了一份经得起考验的承诺。它不仅仅是一个参数出色的MOSFET，更是意法半导体深厚技术积淀的体现。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能从容应对极端环境；TO-220的经典封装形式，则提供了优异的散热能力和便捷的安装体验。当您致力于打造寿命更长、运行更安静、效率更高的电力设备时，这颗芯片将成为您最值得信赖的伙伴。我们建议您通过官方授权的ST代理商进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，让您的创新之路畅通无阻。

型号:STF5N105K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220 整包
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:1050 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220 整包
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压电路中的开关损耗和可靠性担忧吗？让STF5N105K5来为您分忧！这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，是专为高效、高压开关应用而设计的利器。它能轻松阻断高达1050V的电压，并通过仅3.5欧姆的低导通电阻，让3A的电流高效通过，显著降低功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

更令人惊喜的是，其极低的栅极电荷（仅12.5nC）和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的设计，同时减少电磁干扰。无论是用于电源转换、电机驱动还是照明镇流器，STF5N105K5都能以其坚固的TO-220封装和宽温度工作范围（-55°C至150°C），提供稳定持久的性能，让您的产品设计更紧凑、运行更可靠。