STF5N95K3

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的稳定性和效率而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STF5N95K3。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和4A的连续漏极电流，为您的高压电路筑起一道坚固的性能防线。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键伙伴。

想象一下，在开关电源、照明镇流器或电机驱动等高压应用场景中，STF5N95K3正以其卓越的SuperMESH3技术内核高效运作。其极低的导通电阻（典型值）和优化的栅极电荷，意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是面对严苛的工业环境还是追求紧凑的家电设计，它都能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的产品在各种条件下都表现出持久的可靠性。选择它，就是为您的设计注入了经久耐用的基因。

为何众多工程师在高压MOSFET选型时对STF5N95K3青睐有加？答案在于其带来的综合价值优势。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产的便利性与连接的牢固性。更低的功率耗散意味着您可以在更小的散热器上实现相同的性能，从而优化整体空间与物料成本。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，专业的ST中国代理网络将是您坚实的后盾，确保从选型到量产的全程顺畅。这不仅仅是一颗晶体管，它是一个能够简化您设计流程、加速产品上市、并最终赢得市场认可的高性能引擎。

• 型号:STF5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF5N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的功率器件吗？STF5N95K3正是为您而来。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有950V的高耐压和4A的电流处理能力，让您在设计开关电源、LED驱动或工业控制设备时，从容应对高压挑战。

它通过极低的导通电阻和优化的动态参数，显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效。优异的TO-220FP封装确保了出色的散热性能，结合宽广的工作温度范围，让您的产品在各种环境下都稳定运行，大幅提升最终产品的可靠性和市场竞争力。