STF5N95K5

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和系统可靠性而妥协？想象一下，一颗能够承受高达950V电压冲击，同时保持极低导通电阻的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STF5N95K5带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH5技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压环境而生。

当您将其应用于开关电源、照明驱动或工业电机控制时，其950V的漏源电压额定值如同一道坚固的屏障，为系统提供了前所未有的安全裕量。3.5A的连续漏极电流能力，结合仅为2.5欧姆的导通电阻，意味着在能量转换过程中，损耗被大幅削减，热量产生更少，整体效率显著提升。您得到的将是一个运行更凉爽、寿命更持久、能耗更低的设计方案。无论是面对复杂的电网波动，还是需要长时间满载运行，它都能稳如磐石，确保终端产品的稳定输出。

选择STF5N95K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，便于安装，更继承了意法半导体一贯的高品质基因。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能从容应对从寒带到热带的任何应用环境。更低的栅极电荷（仅12.5nC）和输入电容，使得开关速度更快，驱动电路的设计得以简化，从而帮助您缩短开发周期，加速产品上市。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST芯片代理能够为您提供从样品到量产的全方位支持。让这颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的功率芯片，成为您下一代产品在激烈市场中脱颖而出的秘密武器。

• 型号:STF5N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF5N95K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高效节能的功率开关核心？STF5N95K5正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的SuperMESH5技术，拥有950V的超高耐压和仅2.5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关电源、LED驱动等应用中的导通损耗，让您的系统效率更高、发热更少。

这颗N沟道MOSFET具备3.5A的强电流处理能力，配合TO-220FP封装带来的优秀散热特性，确保在大功率场景下依然稳定可靠。其优化的栅极电荷特性让驱动设计变得简单，帮助您快速实现高性能的电源转换拓扑。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐久的基因。