STF6N90K5

当您的电源设计面临900V高压挑战时，是否曾为寻找一款既能承受严苛电压又能保持高效开关性能的功率器件而困扰？现在，答案就在眼前STF6N90K5，这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，正是为突破高压应用瓶颈而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您系统可靠性的守护者，其卓越的900V漏源电压耐受能力，让您在面对电网波动或复杂工况时都能游刃有余，为整个电路筑起一道坚固的安全防线。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、光伏逆变器或LED照明驱动这些关键应用中，每一次开关都关乎系统稳定与能效。STF6N90K5凭借其MDmesh K5系列的核心技术，实现了超低的导通电阻（典型值仅1.1欧姆@3A,10V），这意味着更少的导通损耗和发热，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。其TO-220FP封装不仅提供了出色的散热性能，还能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，无论是严寒的户外环境还是高温的机箱内部，它都能持续可靠地输出高达6A的连续电流。

选择STF6N90K5，就是选择了一份经得起验证的品质与性能。它源自ST意法半导体的成熟工艺和严格品控，确保了每一颗芯片都具备卓越的一致性。对于寻求稳定供货和技术支持的工程师来说，通过官方授权的ST代理商进行采购，不仅能获得正品保障，还能获取完整的技术资料和本地化服务支持。这颗芯片将帮助您轻松应对高压、高可靠性设计的挑战，让您的产品在能效、功率密度和长期稳定性方面脱颖而出，成为市场上更具竞争力的解决方案。

• 型号:STF6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF6N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭900V高压平台，同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关？STF6N90K5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET基于先进的MDmesh K5技术打造，其核心价值在于让您的高压电源或电机驱动设计变得更简单、更强大。

它拥有高达900V的击穿电压和6A的连续电流能力，为您应对严苛的工业环境注入强大信心。更令人惊喜的是，其优化的动态特性与低至1.1欧姆的导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体效率。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，确保在-55°C到150°C的全温度范围内稳定工作，是您构建高效、紧凑、长寿命功率应用的理想基石。