STF7N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？想象一下，一款能够轻松驾驭800V高压平台，同时将导通损耗和开关损耗双双降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计方案？现在，答案就在STF7N80K5。这款来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，正是为突破而生，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

当我们将目光投向实际应用，STF7N80K5的价值便熠熠生辉。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，其800V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流能力，为系统构筑了坚实的安全边际与功率基础。更令人振奋的是其卓越的开关特性：极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频运行时依然保持冷静与高效，直接转化为更小的散热器尺寸和更低的系统总成本。

选择STF7N80K5，就是选择了一份经得起考验的承诺。它传承了意法半导体在功率半导体领域数十年的技术积淀，SuperMESH5技术确保了在高压下依然拥有仅为1.2欧姆的优异导通电阻，让每一分电能都得到充分利用。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，赋予了产品无与伦比的环境适应性与机械可靠性。为了让您更便捷地获得这款性能利器，我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅保障原装正品与稳定供应，更能提供深度的技术支持和快速响应的服务，确保您的创新想法从蓝图到量产一路畅通。立即拥抱STF7N80K5，让它成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STF7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF7N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时征服高压与高频挑战的功率开关吗？STF7N80K5正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6A的强大电流处理能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动应用而生。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。极低的栅极电荷和输入电容，让开关过程迅捷而干净，显著降低开关损耗，轻松实现更高的工作频率。同时，优异的导通电阻特性确保了在导通状态下的高效电能传输，直接帮助您提升整机效率，减少热量产生。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与耐久的基因。