STF7NM50N

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题所困扰？现在，一个成熟可靠的解决方案正静待您的发现STF7NM50N。这款源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其卓越的500V耐压和5A电流能力，早已在众多严苛应用中证明了其稳定与高效的价值。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、优化系统成本的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器设计中，STF7NM50N能够轻松应对高压环境。其TO-220FP封装提供了优异的散热路径，结合仅780毫欧的低导通电阻（Rds(on)），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。这使得您的系统能够在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定运行，无论是工业电机驱动、UPS不间断电源，还是家用电器中的辅助电源，它都能成为电路中值得信赖的“能量开关”，确保能量高效、平滑地传递。

选择STF7NM50N，就是选择了一份经过市场验证的成熟与安心。虽然该型号目前已处于停产状态，但其庞大的市场存量和技术成熟度，使其依然是许多经典设计、备品备件或特定成本优化项目的绝佳选择。其10V驱动电压下的优异开关特性，以及低至12nC的栅极电荷，有助于简化您的驱动电路设计，提升整体开关频率和响应速度。当您需要为现有项目寻找可靠且性价比高的功率核心时，这款芯片的价值不言而喻。当然，为了确保您能获得正品货源与有竞争力的价格，我们建议您通过正规的ST一级代理渠道进行咨询与采购，以获得专业的技术支持和供应链保障。

• 型号:STF7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？让STF7NM50N为您带来改变。这颗采用成熟MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和5A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅780mΩ）和出色的开关性能。

这意味着，在您的开关电源、照明驱动或电机控制电路中，它能显著减少能量浪费，降低发热，让您的系统运行得更凉爽、更高效。其TO-220FP封装兼顾了功率密度与散热需求，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了它在各种环境下的可靠表现。选择它，就是为您的产品注入一颗历经考验的高效“心脏”。