STF8NM50N

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要兼顾成本与可靠性时，您是否在寻找一个完美的平衡点？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STF8NM50N。这款N沟道功率MOSFET不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、简化设计流程的强大引擎。它凭借500V的高耐压能力和5A的连续漏极电流，为您的应用筑起一道坚固的防线，让您在面对电压波动和复杂工况时，依然能够从容不迫，游刃有余。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业控制系统中，STF8NM50N正以其卓越的性能默默贡献力量。它极低的导通电阻（典型值远低于790毫欧）意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接为您带来更高的转换效率和更低的运行温度。这不仅降低了散热设计的压力，更延长了整个系统的使用寿命。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关特性，有效减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的产品在能效和电磁兼容性方面都更具竞争力。

为什么众多工程师在面临高压功率开关选型时，会不约而同地选择STF8NM50N？因为它完美融合了性能与价值。MDmesh II技术平台赋予了它出色的动态特性与坚固性，而TO-220FP封装则提供了优异的通孔安装便利性和散热能力，最大功率耗散可达20W。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能够轻松应对严苛的工业环境挑战。选择它，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺，选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商将为您提供全面的技术支持与供应链保障，让您的创新之路更加顺畅。

• 型号:STF8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF8NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STF8NM50N为您带来改变！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效能量控制的得力助手。它拥有500V的高耐压和5A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等高压场景，其超低的导通电阻和栅极电荷，让您的系统开关更快、损耗更小、发热更低，直接提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计更简洁、运行更稳定。优异的动态性能和坚固性，确保了在频繁开关下的长期可靠性；TO-220FP封装兼顾了安装便利与散热需求。选择STF8NM50N，就是选择了一个让您事半功倍的高性能解决方案，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。