STFH10N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，工程师们是否常常面临功率密度与散热性能难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案意法半导体MDmesh系列中的明星产品STFH10N60M2。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统整体性能、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，这颗芯片正以其600V的坚固耐压和7.5A的强大电流处理能力，从容应对各种严苛的功率开关任务。其核心秘密在于先进的MDmesh技术，这项技术通过优化单元结构，在保持超低导通电阻的同时，显著降低了开关损耗和栅极电荷。这意味着，在相同的工况下，您的设备能运行得更凉爽、更安静，电能转换效率得到显著提升，直接为用户节省运营成本，也为您的产品赢得市场竞争力。

无论是面对需要高可靠性的工业自动化环境，还是追求极致效率的消费类充电器，STFH10N60M2都能完美适配。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装便利性，更确保了在高达150°C结温下的稳定工作，让您的设计无惧高温挑战，寿命更长。选择它，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和性能保障。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。

归根结底，选型就是选择价值。STFH10N60M2以其卓越的电气特性低至600毫欧的导通电阻和仅13.5nC的栅极电荷，为您在提升效率、减小散热器尺寸、优化系统成本之间找到了最佳平衡点。它让复杂的设计变得简单，让高性能的目标触手可及。现在，就让它成为您下一个成功设计的核心动力，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STFH10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FPAB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FPAB
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STFH10N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率不够高、散热设计太占空间而烦恼吗？让STFH10N60M2来为您解决！这颗基于意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，是专为高效功率开关应用而生的利器。

它拥有600V的漏源电压和7.5A的连续电流能力，能轻松应对工业电源、电机驱动等高压场合。其最突出的优势在于极低的导通电阻（仅600毫欧）和栅极电荷（13.5nC），这意味着它能大幅降低开关过程中的导通损耗和驱动损耗，直接让您的系统运行更高效、发热更少，从而简化散热设计，提升功率密度。

采用坚固的TO-220FP封装，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保您在各种严苛环境下都能获得稳定可靠的性能。选择STFH10N60M2，就是选择让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。