STFI12N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STFI12N60M2技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临功率密度与散热性能难以兼得的困境？现在，一个卓越的解决方案已经到来。我们隆重向您介绍STFI12N60M2，这颗源自ST意法半导体MDmesh M2家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破这一瓶颈而精心打造。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体性能、实现设计突破的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，需要一颗能够承受600V高压、稳定通过9A电流的“心脏”。STFI12N60M2正是为此而生。其先进的MDmesh M2技术，在相同的芯片面积下实现了更低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下的能量损耗被显著降低，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是工业变频器、UPS不间断电源，还是高要求的照明镇流器，它都能游刃有余，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的可靠性和能效脱颖而出。

选择STFI12N60M2，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其TO-281（I2PAKFP）封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，更优化了散热路径，让高达25W的功率耗散能力得以充分发挥，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动损耗更小，让您的系统在高频下运行依然保持冷静与高效。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取高质量的库存或找到完美的替代升级方案，确保项目供应链的稳定与延续。让STFI12N60M2成为您下一代高性能电源设计的坚实基石，开启能效新纪元。

型号:STFI12N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-281（I2PAKFP）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效，让电源设计焕然一新的核心功率开关吗？STFI12N60M2正是您的理想之选。这颗600V/9A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh M2技术，为您带来低至450毫欧的优异导通电阻，显著降低导通损耗，直接提升系统整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它专为要求严苛的开关电源、PFC电路和电机驱动应用而优化。其快速的开关特性和低栅极电荷，让您能够设计出更高频率、更紧凑的电源拓扑，同时保持极低的驱动损耗。坚固的TO-281通孔封装确保了卓越的功率耗散能力和长期可靠性，让您的产品在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定运行，从容应对各种挑战。