STFI13N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STFI13N60M2技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为功率开关器件的损耗和散热问题而困扰？当系统效率每提升1%都意味着巨大的商业价值时，选择一颗性能卓越的MOSFET至关重要。今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STFI13N60M2，它不仅仅是600V耐压和11A电流能力的简单组合，更是意法半导体MDmesh II Plus技术的杰出代表，旨在将您的电源设计推向新的高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器的核心电路中，STFI13N60M2正以其卓越的性能稳定运行。其低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统即使在频繁开关的工况下也能保持高效与冷静。这正是MDmesh II Plus技术的魔力所在，它通过创新的单元结构和工艺，在击穿电压、导通电阻和开关性能之间取得了完美平衡。

为何众多工程师在面临关键选型时会信赖这款产品？答案在于其带来的综合价值。它不仅提供了强大的电气性能，其I2PAKFP（TO-281）封装也兼顾了优异的散热能力和通孔安装的坚固性，非常适合对可靠性和功率密度有要求的工业应用。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证使其成为特定存量项目或对长期稳定性有极高要求场景的可靠选择。通过专业的ST代理渠道，您依然可以获得关于库存、替代方案及技术支持的全面服务，确保您的供应链与技术路线平稳无忧。选择STFI13N60M2，就是选择了一份经过时间考验的性能承诺，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借稳定高效的“心脏”赢得先机。

型号:STFI13N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-281（I2PAKFP）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:25W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让系统运行更稳定可靠的功率开关吗？STFI13N60M2正是为此而生。这颗来自意法半导体的600V N沟道MOSFET，集成了先进的MDmesh II Plus技术，能够轻松驾驭高达11A的连续电流。

它的核心价值在于为您大幅降低能耗。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着电流通过时的能量损耗更少，发热量更低，从而让您的电源模块或电机驱动装置运行更高效、更凉爽。同时，优化的动态参数助力实现更快的开关速度，进一步提升整体能效。无论是升级现有设计还是开发新产品，它都能让您轻松应对高电压、高功率的挑战，是实现高性能电力转换的得力助手。