STFI13N80K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压开关器件的损耗与散热问题而困扰？当800V的电压平台成为工业电源、新能源及电机驱动的趋势，选择一颗既能承受高压冲击，又能保持超低导通损耗的MOSFET，无疑是决定系统成败的关键。今天，我们为您带来的STFI13N80K5，正是意法半导体MDmesh K5系列中的高压性能标杆，它不仅仅是一个开关，更是您提升整机效率、缩小体积并增强可靠性的强大引擎。

想象一下，在服务器电源的PFC电路中，或在太阳能逆变器的DC-DC模块里，甚至是在工业变频器的输出级，STFI13N80K5都能凭借其800V的坚固耐压和仅450毫欧的超低导通电阻，将开关损耗和传导损耗双双降至新低。这意味着您的设备可以在更低的温升下运行，散热设计得以简化，系统寿命显著延长。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，让驱动设计更为轻松，开关速度更快，从而有效提升开关频率，助力您实现更高功率密度和更紧凑的磁性元件设计。

为何众多领先的电源制造商在关键设计中信赖它？答案在于其背后强大的MDmesh K5技术平台。这项技术通过创新的垂直结构和单元布局，在高压与低导通电阻之间取得了卓越的平衡。对于需要长期稳定供货和技术支持的客户，通过值得信赖的ST中国代理，您可以获得从选型指导到库存保障的全方位服务。选择STFI13N80K5，不仅是选择了一颗参数出色的芯片，更是选择了一个经过市场验证的解决方案，它能帮助您的产品在激烈的市场竞争中，以更高的效率、更小的体积和更可靠的品质脱颖而出，直接转化为产品的核心竞争力和用户的卓越体验。

• 型号:STFI13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI13N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计一款需要应对高压、高功率挑战的电源或驱动方案吗？STFI13N80K5正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它拥有800V的漏源电压和12A的连续电流能力，核心优势在于其MDmesh K5技术带来的极低导通电阻（仅450毫欧），能显著降低传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭工业电源、UPS、太阳能逆变器等高压开关应用。其优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）有助于简化驱动电路设计，提升开关频率，从而实现更高功率密度和更紧凑的系统布局。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障。