STFI14N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为高压大电流应用中的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STFI14N80K5。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高压N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、降低运营成本、并确保长期稳定运行的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源领域的充电模块中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STFI14N80K5正是为此类高压、高频应用场景而生。其MDmesh K5超结技术，在芯片层面实现了革命性的优化，将导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）这一对传统矛盾体进行了出色的平衡。这意味着，在相同的工况下，它能以更低的导通损耗和更快的开关速度运行，直接转化为更低的温升和更高的系统能效。无论是应对电网波动，还是驱动感性负载，它都能提供坚实的保障，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的可靠性和能效脱颖而出。

选择STFI14N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。ST意法半导体的MDmesh技术久经市场考验，而K5系列更是其中的性能标杆。其高达30W的功率耗散能力，配合I2PAKFP（TO-281）通孔封装，为散热设计提供了极大的便利和灵活性，确保器件即使在-55°C至150°C的严苛结温范围内也能稳定工作。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，获取最专业的选型指导与供应保障。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在存量市场或特定升级项目中依然极具价值。它代表了一个时代的技术精华，是工程师构建高效、耐用电力系统的经典之选。

• 型号:STFI14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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还在为高压电源设计中的效率瓶颈烦恼吗？让STFI14N80K5为您带来改变。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和12A的持续电流能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等高压场合的核心开关任务。

它的核心价值在于，通过优化的超结结构，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着它能以更低的损耗进行高速开关。这不仅直接提升了您的系统整体能效，更能有效降低发热，让散热设计变得更简单，系统运行更稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与耐用的双重保障。