STFI15NM65N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STFI15NM65N技术参数详情：

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STFI15NM65N。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为那些对性能有严苛要求的应用而生。想象一下，在650V的高压环境下，它依然能保持稳定的12A连续电流输出，将导通电阻控制在极低的380毫欧，这意味着更少的热量产生，更高的能源转换效率，直接为您的产品带来更长的寿命和更低的运营成本。

这颗芯片的身影，活跃在众多关键领域。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STFI15NM65N都能以其强大的耐压能力和出色的开关特性，确保系统在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定运行。它的存在，让电源模块的设计更加紧凑，让能量流动更加顺畅，仿佛为电力电子系统注入了澎湃而精准的动力。选择它，就是为您的设备选择了一位在高压前线值得信赖的“守护者”。

那么，在众多同类产品中，为何独独青睐STFI15NM65N？答案在于其背后强大的技术基因与综合价值。MDmesh II技术显著优化了动态性能与导通损耗的平衡，33.3nC的低栅极电荷让开关速度更快，损耗更低，直接提升系统整体能效。其坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，提供了优异的散热能力和机械可靠性。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场应用验证，使其成为库存优选或特定高可靠性设计的经典之选。如需获取此经典器件或探讨替代方案，专业的ST中国代理将为您提供全面的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺利推进。

型号:STFI15NM65N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-281（I2PAKFP）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？STFI15NM65N正是为您破局而来的利器。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和12A的强电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅380毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高能效和更低温升。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计。较低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以使用更简单的驱动电路，就能获得快速、干净的开关性能，从而提升系统响应速度并降低电磁干扰。无论是面对工业环境的严苛温度挑战，还是追求紧凑空间内的可靠安装，其坚固的封装和宽工作温度范围都为您提供了坚实保障。选择它，就是选择了一份让设计更高效、让产品更可靠的专业承诺。