STFI24N60M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STFI24N60M2。这款来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其MDmesh II Plus技术的深厚底蕴，重新定义了600V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，每一次开关动作都关乎整体效率与热量管理。STFI24N60M2正是为此类高压、高频应用场景而生。其600V的漏源电压和18A的连续电流能力，为系统提供了坚固的耐压与载流基础。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至190毫欧，这意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传输，而非转化为无谓的热量。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致紧凑的消费类电源设计，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定运行。

选择STFI24N60M2，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其MDmesh II Plus结构优化了开关特性，29nC的低栅极电荷有助于降低驱动损耗，实现更快的开关速度，从而提升系统频率响应，让您的设计在动态性能上脱颖而出。TO-281（I2PAKFP）的通孔封装提供了优异的散热能力和机械强度，30W的功率耗散能力让热管理更加从容。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其依然是许多经典和特定应用方案的优选。如需获取库存或寻找替代方案，专业的ST代理将为您提供全面的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺利推进。让STFI24N60M2成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STFI24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 18A TO281
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI24N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的“强力心脏”吗？STFI24N60M2正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和18A的连续电流能力，其核心的MDmesh II Plus技术，让它在导通时阻抗极低（仅190毫欧），大幅减少功率损耗，直接为您提升系统整体能效。

它能让您的电源或电机驱动设计运行得更冷静、更可靠。低至29nC的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，配合优异的封装散热，确保设备在繁忙工作中也能保持稳定。选择它，就是为您的产品注入一份强劲而高效的动力源泉。