STFI26NM60N

当您的电源设计需要在600V高压下稳定输出20A电流，同时还要兼顾系统效率和散热挑战时，您是否在寻找一个能一锤定音的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STFI26NM60N，这颗源自意法半导体MDmesh II家族的功率MOSFET，正是为攻克此类高性能挑战而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率LED照明驱动器中，系统的心脏需要承受严苛的电气应力。STFI26NM60N凭借其600V的漏源电压和高达20A的连续电流能力，为这些核心应用提供了坚实的保障。其先进的MDmesh II技术，意味着更低的导通电阻和更优的开关特性，能显著减少导通损耗和开关损耗，让您的整机效率轻松迈上新台阶，在激烈的市场竞争中赢得宝贵的能效优势。

选择STFI26NM60N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其165毫欧的低导通电阻（@10A,10V）和仅60nC的低栅极电荷，共同确保了极低的功率损耗和出色的开关速度，让您的系统运行更凉爽、响应更迅捷。高达150°C的结温工作能力，赋予了它卓越的鲁棒性和可靠性，即使在恶劣环境下也能稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目顺利进行。无论是升级现有设计还是开发新一代产品，这颗芯片都能以卓越的性能，帮助您简化设计、降低成本，并最终交付给市场一个更强大、更高效、更可靠的终端产品。

• 型号:STFI26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI26NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STFI26NM60N为您带来改变。这颗采用意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，集600V耐压与20A电流处理能力于一身，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更高效、更可靠。

它凭借低至165毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关和导通损耗，直接提升系统整体能效。同时，其坚固的I2PAKFP封装和宽工作温度范围，让您轻松应对高功率密度设计的散热挑战，确保产品在各种严苛环境下长效稳定运行。